Изменение проводимости полупроводников при высокочастотном эффекте поля
Калашников С.Г., Морозов А.И., Федосов В.И., Анисимкин В.И.
Показано, что при воздействии высокочастотного внешнего электрического поля постоянная составляющая проводимости полупроводника может существенно изменяться вследствие участия в электронном обмене поверхностных уровней Указана возможная связь этого эффекта с некоторыми акустоэлектронными явлениями.