Новый способ определения плотности состояний на поверхности полупроводника
Поспелов В.В., Сурис Р.А., Фетисов Е.А., Фукс Б.И., Хафизов Р.З.
Предложен новый способ измерений малых интегральных плотностей поверхностных состояний на границе между полупроводником и диэлектриком. Оценки показывают, что этот метод позволяет измерять при комнатных температурах плотности состояний вплоть до 10 4 еж"*2, а при температурах жидкого азота до 1 + 10 см"2. Приведены результаты экспериментальной проверки метода на структурах с плотностью состояний порядка 1010cw~2.
Home
![](/ps/546/article_8618_800_head.png "<b>Предложен новый способ измерений малых интегральных плотностей поверхностных состояний на границе между полупроводником и диэлектриком. Оценки показывают, что этот метод позволяет измерять при комнатных температурах плотности состояний вплоть до 10 <sup>4</sup> еж"*<sup>2</sup>, а при температурах жидкого азота до 1 + 10 </b><b><i>см"<sup>2</sup>. </i></b><b>Приведены результаты экспериментальной проверки метода на структурах с плотностью состояний порядка 10<sup>10</sup>cw~<sup>2</sup>.</b>")