Неустойчивость поляризации в системе электронных и ядерных спинов полупроводника n-типа при оптической ориентации в слабых магнитных полях
Флейшер В.Г., Векуа В.Л., Джиоев Р.И., Захарченя Б.П.
PACS: 78.20.L
Обнаружена неустойчивость в системе ориентированных светом электронных и ядерных спинов полупроводника л-типа, приводящая к возникновению осцилляции степени поляризации ρ люминесценции с периодом, измеряемым десятками секунд. При слабом влиянии ядер деполяризация электронов происходит в полях // < 10 э. При сильном влиянии ядер в спектре р(П) обнаружена линия с шириной = 0,1 э.