В кристаллах n-GaAs наблюдается полоса люминесценции около 1,'86 эв, "обусловленная электронными переходами из зоны проводимости в. отщепленную валентную зону. Наличие Циркулярно поляризованной люминесценции при Циркулярно поляризованной накачке свидетельствует об оптической ориентации по спину дырок в отщепленной зоне.
Home
![](/ps/549/article_8660_800_head.png "<b>В </b>кристаллах <b>n-GaAs </b>наблюдается полоса люминесценции около 1,'86 <b><i>эв, </i></b>"обусловленная электронными переходами из зоны проводимости в. отщепленную валентную зону. Наличие Циркулярно поляризованной люминесценции при Циркулярно поляризованной накачке свидетельствует об оптической ориентации по спину дырок в отщепленной зоне.")