Влияние спинового состояния дислокаций на проводимость кристаллов кремния
Гражулис В.А., Кведер В.В., Осипьян Ю.А.
PACS: 72.80.C, 76.30.M
В работе обнаружен эффект уменьшения проводимости крис» тзллов кремния при насыщении сигнала ЭПР дислокаций, В области гелиевых температур величина эффекта пропорциональна Т~~°'75в Обнаруженное явление связывается с зависимостью взаимодействия свободных носителей заряда с дислокациями от спинового состояния дислокаций и самих носителей,,