О возможном новом типе фотопроводимости в неупорядоченных полупроводниках со случайным полем
Бонч-Бруевич В.Л.
PACS: 72.40.+w
Указан новый тип фотопроводимости, которая может наблюдаться в неупорядоченных полупроводниках при низких температурах. Эффект связан с конечным (не зависящим от температуры, Т, при Τ -» 0) значением ширины флуктуационных уровней, расположенных выше уровня Ферми.
|