Коротковолновая диссипативная неустойчивость на запертых электронах
Михайловский А.Б.
PACS: 52.55.Gb; 52.35.En
Теоретически показано, что в плазме, удерживаемой в токамаке, может развиваться диссипативная неустойчивость на запертых электронах при длинах волн, мдлых по сравнению с ларморовским радиусом ионов. Для развития этой неустойчивости необходимо наличие градиента электронной температуры, превышающего градиент плотности.
|