Кинетика фотолюминесценции вюрцитных GaN квантовых точек в матрице AlN
Д. Д. Ри, В. Г. Мансуров, А. Ю. Никитин, А. К. Гутаковский, К. С. Журавлев, П. Тронк+
Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
+Laboratoire d'Optique Physique, Ecole Superieure de Physique et Chimie Industrielles, 75005 Paris, France
PACS: 78.55.Cr, 78.67.Hc
Abstract
Исследована фотолюминесценция (ФЛ) квантовых
точек GaN в матрице AlN. Обнаружено, что максимум линии ФЛ не
сдвигается в зависимости от мощности лазерного возбуждения. Из
спектров нестационарной ФЛ было установлено, что кинетика
затухания носит неэкспоненциальный характер и закон затухания
зависит от спектрального диапазона. Экспериментальные данные
объяснены в рамках модели, учитывающей сильное встроенное
электрическое поле в вюрцитных структурах и транспорт носителей
заряда между ними.