Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 76 (2002) | ISSUE 3 | PAGE 219
Возможный механизм сверхпроводимости в интерфейсе CuO-Cu
PACS: 74.20.Kk, 74.80.Dm
Abstract
По-видимому, в интерфейсе CuO-Cu на поверхности окиси меди образуется двумерная решетка CuO, состоящая из Cu2+ и О1- ионов, которые образуют узкую частично заполненную двумерную зону. В этом случае в кислородной подсистеме плоскости вследствие выполнения условий Шубина-Вонсовского возможно образование локальных электронных пар (ЛЭП). В данном приближении грубая оценка температуры образования ЛЭП дает значение T^*\sim10^4 К. При концентрации в интерфейсном слое n\sim1.6\cdot10^{20} см-3 и эффективной массе носителей m^*\sim m_e температура начала бозе-эйнштейновской конденсации может иметь значение T_c\sim 1000 К. Полученная оценка температуры Tc по порядку величины соответствует экспериментальному значению.