Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 76 (2002) | ISSUE 3 | PAGE 223
Электронные свойства новых сверхпроводников Ca(AlxSi1-x)2 и Sr(GaxSi1-x)2 в кристаллическом и нанотубулярном состояниях
PACS: 71.20.Cf, 71.45.Nt, 71.90.+q
Abstract
Первопринципным полнопотенциальным методом ЛМТО изучена зонная структуры новых слоистых (типа AlB2) сверхпроводников Ca(AlxSi1- x)2 и Sr(GaxSi1-x)2. Показано, что сверхпроводящие свойства тройных силицидов обусловлены высокой плотностью (Ca,Sr)d-состояний вблизи уровня Ферми, а рост TC при переходе Sr(GaxSi_{1-x})_2\rightarrow{\rm Ca(Al}_x{\rm Si}_{1-x})_2 связан с увеличением фононных частот вследствие уменьшения массы атомов. Выполнено моделирование электронных свойств гипотетических (11,11) и (20,0) CaAlSi и SrGaSi нанотрубок. При переходе от кристаллического к нанотубулярному состоянию силицидные системы сохраняют металлоподобные свойства. Методами получения силицидных нанотрубок могут стать темплатный и метод "свертки пленок".