Квазигексагональная самоорганизация наночастиц при лазерно-контролируемом осаждении атомов Ga
В. И. Емельянов, К. И. Еремин, Н. И. Желудев+
Международный лазерный центр, Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова,
119899 Москва, Россия
+Университет г.Саутгэмптона, Саутгэмптон, SO17 1BJ, Великобритания
PACS: 68.43.-h, 79.20.Ds, 81.07.-b, 81.16.Rf
Abstract
Развит кооперативный дефектно-деформационный (ДД) механизм нуклеации
квазимонодисперсного ансамбля наночастиц при низкотемпературном осаждении
атомов Ga в присутствии лазерного излучения. Проведено сравнение с
экспериментом и получено хорошее согласие теоретических и экспериментальных
результатов, в частности, выявлено наличие скрытого квазигексагонального
порядка в расположении наночастиц и их квазигексагональной формы,
предсказываемые ДД моделью, и показана возможность управления характеристиками
осаждаемого ансамбля наночастиц с помощью анизотропной деформации.