Оптические фононы в квантовых точках Ge, полученных на Si(111)
А. Б. Талочкин, С.А.Тийс
Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
PACS: 72.15.Rn
Abstract
Исследовано комбинационное рассеяние света на оптических фононах в
квантовых точках Ge, полученных на поверхности Si ориентации (111) с помощью
молекулярно-лучевой эпитаксии. Наблюдалась серия линий, связанных с
квантованием фононного спектра. Показано, что частоты фононных мод хорошо
описываются с помощью упругих свойств и дисперсии оптических фононов
объемного Ge. Определена величина деформации квантовых точек Ge.