Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 75 (2002) | ISSUE 8 | PAGE 455
Особенности кондактанса туннельных SIN- и SIS-контактов с киральными сверхпроводниками
PACS: 74.70.Pq, 74.80.Fp
Abstract
Рассмотрены пики в кондактансе, возникающие из-за поверхностных андреевских связанных состояний, в туннельных SIN- и SIS-контактах с киральными сверхпроводниками при низких температурах. Показано, что в туннельных SIN-контактах кондактанс G(V) как функция напряжения очень чувствителен к зависимости прозрачности барьера от направления импульса квазичастиц. Приложенное к контакту слабое магнитное поле приводит к сдвигу пиков в кондактансе. В симметричных туннельных SIS-контактах наличие киральных уровней андреевских связанных состояний по обе стороны границы раздела приводит к появлению пика в кондактансе при V=0.