Дальняя инфракрасная электролюминесценция в каскадных гетероструктурах II рода
Ю. Б. Васильев, В. А. Соловьев, Б. Я. Мельцер, А. Н. Семенов, С. В. Иванов, Ю. Л. Иванов, П. С. Копьев
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
PACS: 07.57.Hm, 78.60.Fi, 78.66.Fd
Abstract
Сообщается о наблюдении дальнего ИК излучения в гетероструктурах
II рода. Образцы представляют собой десятипериодные каскадные
структуры, каждый период которых включает квантовые ямы InAs и
AlGaAsSb, разделенные варизонным барьером. Результаты исследования
вертикального транспорта и электролюминесценции свидетельствуют о
том, что излучение обусловлено переходами между состояниями
электронов и дырок, находящимися в соседних квантовых ямах.