Home
| VOLUME 75 (2002) | ISSUE 2 | PAGE 103 |
|---|
|
Когерентное туннелирование между элементарными проводящими слоями в проводнике с волной зарядовой плотности NbSe3
Ю. И. Латышев, А. А. Синченко+*, Л. Н. Булаевский
 , В. Н. Павленко, П. Монсо*Институт радиотехники и электроники РАН, 101999 Москва, Россия +Московский государственный инженерно-физический институт, 115409 Москва, Россия *Centre de Recherches sur Les Très Basses Températures, CNRS, 38042 Grenoble, France Los Alamos National laboratory, Los Alamos, New Mexico NM 87545, USA
PACS: 42.25.Gy, 71.45.Lr, 72.15.Nj, 74.25.Gz
Abstract
Исследованы особенности поперечного транспорта в направлении кристаллографической оси a* в проводнике с волной зарядовой плотности (ВЗП) NbSe3. При низких температурах на ВАХ слоистых структур и точечных контактов NbSe3-NbSe3 наблюдаются сильный пик динамической проводимости при нулевом напряжении смещения и, на слоистых структурах, серия пиков при напряжениях, кратных удвоенной пайерлсовской щели. Обнаруженное поведение во многом напоминает межслоевую туннельную проводимость в высокотемпературных слоистых сверхпроводниках типа Bi-2212. Пик проводимости при нулевом смещении объяснен в модели почти когерентного межслоевого туннелирования несконденсированных в ВЗП носителей. |