Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 75 (2002) | ISSUE 2 | PAGE 113
Высота барьера и туннельный ток в диодах Шоттки со встроенными слоями квантовых точек
PACS: 73.20.Mf, 73.50.Pz
Abstract
Исследованы электрические характеристики кремниевых диодов Шоттки, содержащих массивы квантовых точек Ge (КТ). Установлено, что введение плотных слоев КТ позволяет управлять высотой потенциального барьера вблизи контакта металл - полупроводник, что является следствием формирования планарного электростатического потенциала заряженных КТ. Обнаружены осцилляции фактора неидеальности барьеров Шоттки при изменении внешнего напряжения, обусловленные туннельным прохождением дырок через дискретные уровни в квантовых точках.