Осцилляции оптической плотности нанокристаллов PbS, выращенных in-situ в пленках Ленгмюра-Блоджетт стеарата свинца
Ю. Н. Саввин, А. В. Толмачев, Ю. А. Толмачева
Институт монокристаллов НАН Украины, 61001 Харьков, Украина
PACS: 61.46.+w, 68.18.+р, 71.35.+z
Abstract
Обнаруженные осцилляции оптической плотности нанокристаллов PbS
свидетельствуют о высокой однородности их размеров на стадии "нормального"
роста в матрице. В результате анализа в приближении эффективных масс энергий
размерного квантования основного и первого возбужденного состояний
электронно-дырочной пары определены средний радиус нанокристаллов PbS
нм и высота потенциального барьера эВ на
контакте между полупроводником и матрицей. Предполагается, что конечная
высота барьера обусловлена действием в контактных областях электрических
полей В/м при нарушении полярной симметрии в расположении
диполей молекул матрицы относительно поверхностей растущих нанокристаллов
плоской формы.