Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 75 (2002) | ISSUE 3 | PAGE 184
Новый механизм проводимости по примесям в кристаллическом слабо легированном некомпенсированном кремнии
PACS: 72.20.-i, 72.80.-r
Abstract
Обнаружено, что пластическая деформация образцов кристаллического слабо легированного кремния (N<6•1016 см-3) с малой компенсацией (K\sim3\cdot10^{-2}) приводит к появлению в электрических полях неомической проводимости σM, которая по своим свойствам кардинально отличается от обычной прыжковой проводимости по основным состояниям примеси (σ3). Значения σM могут превышать значения σ3 в 103-105 раз. Величиной и зависимостями σМ от электрического (E) и магнитного (H) полей можно управлять, меняя плотность дислокаций и режим тепловой обработки образца. В образцах с ориентированными дислокациями наблюдается сильная анизотропия σM: проводимости вдоль и поперек дислокаций могут отличаться в 104 раз. Результаты объясняются возникновением проводимости по H--подобным состояниям примесей, сконцентрированных вблизи дислокаций. Уровни этих состояний находятся между нижней и верхней примесными зонами Хаббарда.