|
VOLUME 75 (2002) | ISSUE 3 |
PAGE 184
|
Новый механизм проводимости по примесям в кристаллическом слабо легированном некомпенсированном кремнии
А. П. Мельников, Ю. А. Гурвич, С. А. Шевченко+, Л. Н. Шестаков*, Л. И. Меньшиков
Московский педагогический государственный университет, 119891 Москва, Россия +Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия *Поморский государственный университет, 163006 Архангельск, Россия Российский научный центр "Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия
PACS: 72.20.-i, 72.80.-r
Abstract
Обнаружено, что пластическая деформация образцов кристаллического
слабо легированного кремния (N<6•1016 см-3) с малой
компенсацией ( ) приводит к появлению в электрических
полях неомической проводимости σM, которая по своим свойствам
кардинально отличается от обычной прыжковой проводимости по основным
состояниям примеси (σ3). Значения σM могут превышать значения
σ3 в 103-105 раз. Величиной и зависимостями σМ от
электрического (E) и магнитного (H) полей можно управлять, меняя
плотность дислокаций и режим тепловой обработки образца. В образцах с
ориентированными дислокациями наблюдается сильная анизотропия σM:
проводимости вдоль и поперек дислокаций могут отличаться в 104 раз.
Результаты объясняются возникновением проводимости по H--подобным
состояниям примесей, сконцентрированных вблизи дислокаций. Уровни этих
состояний находятся между нижней и верхней примесными зонами Хаббарда.
|
|