Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 76 | ISSUE 4 | PAGE 258
Циклотронный резонанс в гетероструктуре InAs/GaSb в наклонном магнитном поле
PACS: 71.70.Di, 73.20.Dx, 76.40.+b
Abstract
Экспериментально и теоретически изучен механизм расщепления линии циклотронного резонанса в гетероструктуре InAs/GaSb в наклонном магнитном поле. Показано, что подмешивание состояний электронов и дырок приводит к антикроссингу уровней Ландау и, как следствие, к расщеплению линии циклотронного резонанса. В случае наклонного магнитного поля расщепление не наблюдается, что объясняется подавлением подмешивания электронных и дырочных состояний за счет возникновения дополнительного барьера для электронов и дырок при наличии продольной составляющей магнитного поля.