Ориентационный температурный переход нематиков на поверхности сегнетоэлектрического кристалла
A. М. Паршин, В. А. Гуняков, В. Ф. Шабанов
Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения РАН, 660036 Красноярск, Россия
PACS: 61.30.-v, 64.70.Md, 77.84.Nh
Abstract
Представлен температурный ориентационный переход смеси
нематических жидких кристаллов на поверхности скола
сегнетоэлектрического кристалла триглицинсульфат. Переход
наблюдался по изменению поляризованных компонент оптической
плотности красителя, введенного в нематическую матрицу, с ростом
температуры. Переориентация молекул в объеме жидкого кристалла,
ограниченном твердыми стенками, обусловлена конкуренцией
дисперсионных и полярных сил у поверхности и снижением
электрического поля подложки вплоть до полного его исчезновения в
точке Кюри сегнетоэлектрика.