Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 76 | ISSUE 6 | PAGE 420
Проявление кулоновской щели в двумерных структурах p-GaAs-AIGaAs в условиях заполнения верхней зоны Хаббарда
PACS: 73.21.-b
Abstract
Изучались транспортные свойства многослойных структур GaAs/AlGaAs модуляционно легированных Be таким образом, что в равновесии дырками были заполнены состояния верхней зоны Хаббарда (A+- центры). При концентрации легирующей примеси порядка 5•1011 см-2 в области температур 0.4-4 К наблюдалась прыжковая проводимость по состояниям кулоновской щели. Найденная из температурной зависимости проводимости характерная температура (T1) оказывается заметно меньше предсказанной теоретически (в 30 раз). Предполагается, что указанное расхождение связано с влиянием коррелированных прыжков. В температурной зависимости магнетосопротивления с уменьшением температуры наблюдалось подавление отрицательного магнетосопротивления, что объясняется слабостью подбарьерного рассеяния для транспорта по верхней зоне Хаббарда.