Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 76 (2002) | ISSUE 7 | PAGE 550
Полевая электронная эмиссия из Ge-Si наноструктур с квантовыми точками
PACS: 68.55.-a, 81.15.-z
Abstract
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены самоорганизованные массивы Ge-Si кластеров, размерами \sim10 нм и плотностью \sim10^{10} {\rm см}^{-2}. Обнаружена и исследована стабильная стационарная полевая электронная эмиссия из таких кластеров. Характеристики эмиссии отличаются наличием резонансных пиков тока, объясняемых квантованием энергии электронов в нанокластерах. Оценка энергии основного уровня их эмиссионных измерений совпадает с оценками, полученными другими методами.