Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 76 (2002) | ISSUE 10 | PAGE 732
Модуляция спектров резонансного рэлеевского рассеяния света GaAs/AlGaAs структур с квантовыми ямами при надбарьерной подсветке
PACS: 73.21.Fg, 78.35.+с, 78.67.De
Abstract
Обнаружено, что дополнительная подсветка излучением с энергией фотонов, превышающей ширину запрещенной зоны в барьерных слоях, приводит к сильной (глубиной до 40% при использовавшихся мощностях подсветки) модуляции интенсивности света, упруго рассеянного при резонансном возбуждении экситонных состояний в квантовых ямах GaAs/AlGaAs структур. Наблюдавшийся эффект связан, по-видимому, с перераспределением сил осцилляторов экситонных переходов вследствие образования заряженных трехчастичных экситонных комплексов (трионов), возникающих благодаря преимущественному захвату в квантовые ямы одноименно заряженных неравновесных носителей заряда (в нашем случае дырок).