Кинетика заполнения электронами 2D состояний на пленке гелия
В. Б. Шикин
Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
PACS: 67.70.+n, 72.60.+g, 73.50.-h
Abstract
Обсуждаются детали процесса зарядки электронами свободной
поверхности жидкого гелия. Показано, что толщина пленки гелия здесь не
остается постоянной, постепенно уменьшаясь под действием электронного
давления на поверхность гелия. В свою очередь, давление зависит от толщины
пленки. Возникает самосогласованная кинетическая задача с характерным
временем релаксации τ в основном гидродинамического происхождения
(вязкая подстройка толщины пленки гелия к переменному значению электронного
давления). Величина τ весьма чувствительна к толщине d пленки гелия
(). В актуальном интервале 10-1 см > d > 10-4 см область изменения τ имеет масштаб с. Особенно интересна ситуация в окрестности
критической точки (в критической точке заряженная пленка гелия теряет
устойчивость). Приближение к ней сопровождается ростом τ вплоть до его
обращения в бесконечность.