|
VOLUME 81 (2005) | ISSUE 3 |
PAGE 149
|
Нестабильность распределения атомных ступеней на Si(111) при субмонослойной адсорбции золота при высоких температурах
С. С. Косолобов*, С. А. Цонг+, Л. И. Федина*, А. К. Гутаковский*, А. В. Латышев
*Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия + Samsung Advanced Institute of Technology, P.O.Box 111 Suwon, 440-600, Korea Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
PACS: 68.37.-d, 68.43.Jk, 68.47.Fg
Abstract
Методом in situ сверхвысоковакуумной отражательной
электронной микроскопии исследовано влияние адсорбции золота на
распределение моноатомных ступеней на поверхности кремния (111)
при температурах 850-1260 °C. Обнаружен новый эффект
нестабильности морфологии поверхности кремния, который вызывает
перераспределение регулярных ступеней (РС) в эшелоны
ступеней (ЭС), и наоборот, на поверхности, содержащей
субмонослойное покрытие золота. В условиях нагрева кристалла
прямым пропусканием электрического тока установлена зависимость
морфологических переходов
РС ЭС на поверхности кремния
от степени покрытия золотом и направления нагревающего тока. Так,
изотермический отжиг при 900 °С сопровождался следующими
переходами на поверхности кремния с предварительно осажденным
0.75 МС золота:
РС (0.72) ЭС (0.42)
РС (0.24)
ЭС (0.07) РС (0). В скобках
приведены оценочные значения критических покрытий золотом в
монослоях, при которых наблюдались морфологические переходы. При
смене направления электрического тока, используемого для нагрева
кристаллла, происходило обратимое изменение
РС ЭС, а
ЭС РС при тех же значениях
критических покрытий золотом.
|
|