Home
| VOLUME 81 (2005) | ISSUE 3 | PAGE 162 |
|---|
|
Особенности магнитосопротивления квазиодномерного проводника с волной зарядовой плотности NbSe3 при различной ориентации магнитного поля
А. А. Синченко, Ю. И. Латышев+, П. Монсо*
Московский инженерно-физический институт, 115409 Москва, Россия +Институт радиотехники и электроники РАН, 103907 Москва, Россия *Centre de Recherches sur les tres Basses Temperatures, BP 166, 38042 Grenoble, France PACS: 71.45.Lr, 73.40.Ns, 74.80 Fp
Abstract
Измерены полевые зависимости магнитосопротивления монокристаллов NbSe3 при различной ориентации магнитного поля. Показана возможность исследования поверхности Ферми по зависимости фазы осцилляций Шубникова-де Гааза от угла поворота индукции магнитного поля. Полученные данные указывают на преимущественную ориентацию вдоль проводящих цепочек квазиимпульсов носителей, неконденсированных в волну зарядовой плотности. |