Анизотропия магнетотранспорта и самоорганизация корругированных гетерограниц в селективно легированных структурах на (100) GaAs подложках
А. А. Быков, А. К. Бакаров, А. В. Горан, А. В. Латышев, А. И. Торопов
Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия
PACS: 73.23.-b
Abstract
Обнаружена анизотропия продольного магнетосопротивления двумерного
электронного газа с высокими подвижностью и концентрацией в GaAs
квантовых ямах, выращенных при помощи молекулярно-лучевой эпитаксии
на (100) GaAs подложках. Полученные экспериментальные данные
объясняются самоорганизацией пространственно-модулированных
гетерограниц и согласуются с результатами атомно-силовой микроскопии
ростовых поверхностей.