Эмиссионная проекционная микроскопия диэлектрических образцов со сверхвысоким пространственным разрешением
Б. Н. Миронов, Д. А. Лапшин, С. К. Секацкий, В. С. Летохов
Институт спектроскопии РАН, 142190 Троицк Московская обл., Россия
PACS: 72.20.-i, 79.70.+q
Abstract
Экспериментально реализован метод получения
эмиссионных проекционных изображений
непроводящих острий со сверхвысоким
пространственным разрешением.
Бессканирующим методом получено изображение
острия стеклянного микрокапилляра с
пространственным разрешением не хуже 20 нм.