JETP Letters: issues online

Методом сканирующей туннельной микроскопии экспериментально исследовано распределение по размерам островков Ge, формирующихся в экспериментах двух видов при гетероэпитаксии Ge на Si(111): 1) обычный процесс молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ); 2)импульсное (0.5 с) облучение ионами Ge c энергией $\simeq200$ эВ в моменты времени, соответствующие степени заполнения >0.5 каждого монослоя. Эксперименты выполнялись при температуре 350^° С. Обнаружено, что импульсное облучение пучком ионов в процессе гетероэпитаксии приводит к уменьшению среднего размера островков Ge, увеличению их плотности и уменьшению среднеквадратичного отклонения от среднего значения по сравнению с аналогичными величинами в опытах по обычной МЛЭ.