Возникновение самоорганизации критического состояния в одномерном многоконтактном СКВИД как следствие случайного расположения контактов
С. Л. Гинзбург, Н. Е. Савицкая
Санкт-Петербургский институт ядерной физики, 188350 Гатчина, Россия
PACS: 64.60.Lx, 74.50.+r
Abstract
Изучено критическое
состояние одномерного многоконтактного СКВИД со случайно
расположенными контактами, помещенного в медленно меняющееся магнитное
поле. Показано, что незначительного разброса межконтактных
расстояний достаточно, чтобы критическое состояние системы стало
самоорганизованным. Представлена также упрощенная модель
рассматриваемой системы, которая является принципиально новой моделью
для изучения самоорганизации, в которой явление возникает в полностью
детерминированном случае.