Реберный вклад в электронную энергию ограненных микрокристаллов
М. В. Энтин, М. М. Махмудиан
Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН
630090 Новосибирск, Россия
PACS: 72.20.Ee, 72.80.Tm
Abstract
Поверхностная часть энергии электронов в малых металлических или
полупроводниковых частицах содержит вклад, обусловленный наличием
ребер и вершин у кристаллитов. В приближении квадратичного
электронного энергетического спектра вычислена величина реберного
вклада в зависимости от величины двугранного угла и ориентации
ребра по отношению к осям тензора эффективных масс.