Рамановский E1, E1+Δ 1 резонанс в ненапряженных квантовых точках германия
А. Б. Талочкин, С. П. Супрун, А. В. Ефанов, И. Г. Кожемяко, В. Н. Шумский
Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН
630090 Новосибирск, Россия
PACS: 72.15.Rn
Abstract
Исследовано рамановское рассеяние света на оптических фононах в
ненапряженных квантовых точках Ge, полученных в GaAs/ZnSe/Ge/ZnSe структурах с
помощью молекулярно-лучевой эпитаксии. Наблюдался сдвиг энергии E1,
E1+Δ 1 резонанса, связанный с квантованием спектра электронных и
дырочных состояний в квантовых точках. Применение простейшей модели
локализации с учетом спектра электронных состояний Ge позволило объяснить
наблюдаемые особенности.