Охлаждение экситонов когерентным фононным излучением
Ю. Е. Лозовик, И. В. Овчинников
Институт спектроскопии РАН, 142190 Троицк, Московская область, Россия
PACS: 63.20.Ls, 71.35.Lk
Abstract
Рассматривается эффект охлаждения экситонов когерентным фононным
излучением, основанный на эффекте когерентного пленения населенностей
экситонов. Анализируются особенности эффекта когерентного пленения экситонов
в экситонной системе - существенная роль процессов переброса и процессов
рекомбинации и релаксации. С учетом этих особенностей найдены ограничения на
параметры системы, при которых может осуществиться рассматриваемый эффект.