Пространственное разделение электронов в гетероструктурах Ge/Si(001) с квантовыми точками
А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров
Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия
PACS: 73.20.Mf, 73.50.Pz
Abstract
Экспериментально показано, что возбуждение межзонных
оптических переходов в массивах квантовых точек Ge/n-Si(001)
приводит к уменьшению концентрации электронов в зоне проводимости.
Обнаруженное явление обусловлено формированием отрицательно
заряженных экситонных комплексов в островках Ge и является первым
экспериментальным подтверждением пространственного разделения
электронов в окружающей островки кремниевой матрице.