Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 73 (2001) | ISSUE 10 | PAGE 643
Туннельная спектроскопия обменно-корреляционного взаимодействия электронов в барьере Шоттки в квантующем магнитном поле: переходы n-GaAs/Me
PACS: 71.10.Ca, 71.15.Mb, 71.70.-d, 73.30.+y, 73.40.Gk
Abstract
Изменение с магнитным полем ширины пика аномального сопротивления в области аномалии при нулевом смещении для туннельных переходов n-GaAs/Me исследовано в диапазоне полей до 23 Тл при температурах 4.2 и 1.5 К. Полученные кривые не зависят от способа формирования поверхности полупроводниковой подложки (срез легированного монокристалла или эпитаксиально выращенный легированный слой), от сорта легирующей примеси (Te, Si) и металла (Au, Al). Сравнение с вычисленной зависимостью обменного потенциала от магнитного поля для электронов на нижайшем уровне Ландау поддерживает интерпретацию ширины пика аномального сопротивления как меры скачка обменно-корреляционного потенциала на поверхности вырожденного электронного газа. Эти результаты дают объяснение зависимости аномалии при нулевом смещении от магнитного поля и указывают на возможность прямых измерений обменно-корреляционного взаимодействия электронов в барьере Шоттки методом туннельной спектроскопии.