Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 73 (2001) | ISSUE 11 | PAGE 680
Особенности плотности квазилокальных состояний вдоль резонансных кривых в сплошном спектре
PACS: 03.65.-w, 63.20.Mt
Abstract
Рассчитаны и проанализированы плотности квазилокализованных состояний в одномерной системе с точечным дефектом и в ГЦК кристалле с плоским дефектом. Плотность состояний имеет ярко выраженный пик, который находится вблизи энергии (частоты) резонансного прохождения частицы (волны) через дефект, хотя и слегка смещен относительно нее. При подходе к краю непрерывного спектра пик приближается к резонансной частоте и обостряется, стремясь к δ-образному.