Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 73 (2001) | ISSUE 11 | PAGE 708
Необычно сильное резонансное изменение низкотемпературной теплопроводности кристаллов ZnSe:Ni, обусловленное рассеянием фононов на индуцированных заряженными примесями ангармонических модах
PACS: 44.30.+v, 63.20.-e, 71.55.Ht
Abstract
Для кристаллов ZnSe:Ni наблюдалось аномально сильное изменение теплопроводности резонансного типа с резким минимумом при температуре 15\pm 1 К. Теплопроводность одного из образцов в минимуме понизилась более чем в 200 раз по сравнению с ее максимальным значением в чистом ZnSe. Для интерпретации необычной температурной зависимости теплопроводности предполагается новый механизм рассеяния фононов - A-процесс, являющийся процессом переброса при рассеянии фононов на ангармонических модах, индуцированных заряженными примесями никеля. Это объясняет высокую эффективность A- процессов, которая при температуре 15 К может стать сравнимой с эффективностью U-процессов для ZnSe при температуре приблизительно 1000 К.