Терагерцовая инжекционная электролюминесценция в многопериодных квантово-каскадных структурах AlGaAs/GaAs
Н. Н. Зиновьев+*, А. В. Андрианов+, В. Ю. Некрасов+, В. А. Петровский+, Л. В. Беляков+, О. М. Сресели+, Г. Хилл, Дж. М. Чемберлен* 2)
+Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Sheffield, S10 2TN, United Kingdom *IMP, School of Electronic and Electrical Engineering, University of Leeds, Leeds LS2 9JT, United Kingdom
PACS: 07.57.Hm, 78.60.Fi, 78.67.De
Abstract
Сообщается об обнаружении терагерцовой электролюминесценции в области
ТГц в квантово-каскадной структуре GaAs/AlGaAs, содержащей 40
периодов туннельно-связанных квантовых ям. Люминесценция обусловлена
пространственно непрямыми оптическими переходами электронов между основными
состояниями в соседних квантовых ямах.
|