Циклотронный резонанс в двумерной электронной системе с самоорганизующимися антиточками
С. Д. Сучалкин, Ю. Б. Васильев, М. Цундел+1), Г. Нахтвай+1), К. фон Клитцинг+, К. Эберл+1)
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
+Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, 70569 Stuttgart, Germany
PACS: 71.70.-d, 73.20.Dx, 76.40.+b
Abstract
Представлены данные экспериментального исследования
циклотронного резонанса в двумерной электронной системе
с искусственным случайным рассеивающим потенциалом,
обусловленным наличием массива самоорганизующихся
квантовых островков AlInAs, образованного в плоскости
гетероперехода AlGaAs/GaAs. Обнаружено резкое сужение линии
циклотронного резонанса с увеличением магнитного поля,
объясняемое особенностями рассеяния носителей в данном
потенциале. Полученные результаты указывают на формирование
сильно коррелированного электронного состояния в сильных
магнитных полях при концентрациях носителей, меньших,
чем концентрация антиточек.