Циклотронный резонанс свободных носителей в неоднородно деформированном германии
Макаров А.Г., Маненков А.А., Михайлова Г.Н., Сеферов А.С.
PACS: 76.40.+b; 71.35.+z
По форме линии циклотронного резонанса при Τ = 4,2 К в неоднородно деформированном Ge обнаружено неоднородное расправление свободных носителей над электронно-дырочной каплей, локализи-ванной в потенциальной яме* Из анализа этой формы определены равновесная концентрация свободных носителей и частота столкновений вблизи поверхности капли» Приводятся оценки эффективного слоя свободных носителей, окружающих каплю.