Особая роль надбарьерных состояний в картине каналирования электронов в кристаллах
Каган Ю., Бабаханян Э.А., Кононец Ю.В.
PACS: 61.80.Mk; 29.70.Gn; 79.20.Kz
Показано, что существенная часть релятивистских электронов при каналировании распространяется по кристаллу, находясь в низко-лежащих надбарьерных состояниях и испытьюая аномально слабое неупругое взаимодействие с ядрами и многократное рассеяние, а также малые энергетические потери.