Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 78 (2003) | ISSUE 9 | PAGE 1077
Прыжковая фотопроводимость и ее долговременная кинетика в гетеросистеме с квантовыми точками Ge в Si
PACS: 73.20.Mf, 73.50.Pz
Abstract
Исследовано влияние освещения, вызывающего межзонные переходы, на прыжковую проводимость дырок вдоль двумерного массива квантовых точек Ge в Si. Обнаружено, что фотопроводимость имеет положительный либо отрицательный знак в зависимости от исходного заполнения квантовых точек дырками. Как при освещения образца, так и после выключения света наблюдается долговременная кинетика фотопроводимости (102- 104 c при T=4.2 K). Результаты обсуждаются в рамках модели, основанной на пространственном разделении неравновесных электронов и дырок из-за формирования потенциального рельефа положительно заряженными точками. В качестве дополнительного фактора для объяснения явления остаточной проводимости предлагается эффект выравнивания высот потенциальных барьеров, создаваемых заряженными квантовыми точками, за счет захвата в них фотодырок в процессе освещения и релаксации.