Об увеличении проводимости двумерного электронного газа в Si (100) МДП- структурах при понижении температуры
Дорожкин С.И., Долгополов В.Т.
В области гелиевых температур (1,ЗК < Т< 4,2К) обнаружена линейная температурная зависимость проводимости σ двумерного электронного газа на поверхности (100) Si: σ(Νς, Τ) = oofNg) aT; причем в условиях эксперимента коэффициент а слабо зависит от концентрации электронов в инверсионном слое Ng. При Ng ** 2· 101 !см" 2 проводимость возрастает в несколько раз при понижении температуры от 4,2 до 1,3К.
Home
![](/ps/642/article_10041_800_head.png "<b>В области гелиевых температур (1,ЗК < </b><i>Т< </i><b>4,2К) обнаружена линейная температурная зависимость проводимости σ двумерного электронного газа на поверхности (100) Si: </b><i>σ(Νς, Τ) </i><b>= </b><i>oofNg) aT</i><b>; причем в условиях эксперимента коэффициент </b><i>а </i><b>слабо зависит от концентрации электронов в инверсионном слое </b><i>Ng. </i><b>При </b><i>Ng </i><b>** 2· 10<sup>1</sup> <sup>!</sup>см" <sup>2</sup> проводимость возрастает в несколько раз при понижении температуры от 4,2 до 1,3К.</b>")