Осцилляции магнетосопротивления двумерного электронного газа в GaAs квантовой яме с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами в микроволновом поле
А. А. Быков, А. К. Бакаров, А. К. Калагин, А. И. Торопов
Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
PACS: 73.23.-b, 73.40.Gk
Abstract
Исследовано влияние СВЧ излучения в диапазоне частот от 1.2 до
10 ГГц на магнетосопротивление (МС) высокоподвижного двумерного электронного
газа (2ДЭГ) в GaAs квантовой яме с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами.
Обнаружено, что под действием микроволнового поля в МС 2ДЭГ возникают
осцилляции, периодичные по обратному магнитному полю (1/B). Установлено, что
в исследуемом диапазоне частот период обнаруженных осцилляций зависит от
мощности СВЧ излучения.