Проявление локализации фононов в наноостровках Ge в спектрах комбинационного рассеяния света
Д. А. Орехов, В. А. Володин, М. Д. Ефремов, А. И. Никифоров, В. В. Ульянов, О. П. Пчеляков
Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
PACS: 63.22.+m, 78.30.-j, 81.15.Hi
Abstract
Многослойные структуры с наноостровками германия, сформированные
на поверхности кремния с ориентацией (111) при субмонослойном осаждении
методом молекулярно-лучевой эпитаксии, были исследованы с применением
спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС). Для интерпретации
экспериментальных спектров КРС проведены численные расчеты спектров для
наноостровков, содержащих от нескольких атомов германия до нескольких сотен
атомов. Расчеты демонстрируют существенное влияние размеров
наноостровков в плоскости (при размерах менее 2-3 нм) на частоты
локализованных в них фононов. Экспериментальные данные КРС подтверждают
наличие квантово-размерного эффекта.