Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 81 (2005) | ISSUE 9 | PAGE 574
Рассеяние с участием LO-фононов при туннелировании в двумерную электронную систему дельта-слоя
PACS: 73.20.Mf, 73.20.At, 73.40.Gk
Abstract
Исследовались структуры Al/δ-GaAs, в которых можно было наблюдать туннелирование как в одну, так и в две или три подзоны двумерной электронной системы дельта-легированного слоя. Энергетические положения 2D подзон в одном образце изменялись за счет диамагнитного сдвига или замороженной туннельной фотопроводимости. Обнаружена смена знака ступеньки в туннельной проводимости на пороге эмиссии LO-фонона при включении очередной подзоны в процесс туннелирования. Возрастание проводимости (положительная ступенька) наблюдалось для неупругого внутриподзонного электрон-фононного рассеяния, а уменьшение проводимости (отрицательная ступенька) - в случае, когда к обычным процессам неупругого туннелирования добавлялись межподзонные переходы протуннелировавших в 2D электронных системах электронов с испусканием LO-фонона.