Немонотонное изменение электропроводности кристаллов фуллерена С60 при динамическом сжатии до 300 кбар как свидетельство аномально сильного понижения энергетического барьера для полимеризации С60 при высоких давлениях
Ю. А. Осипьян, Б. В. Авдонин+, К. Л. Каган+, Р. К. Николаев, В. И. Постнов+, Н. С. Сидоров, Д. В. Шахрай+, А. Ф. Шестаков+, В. В. Кведер, В. Е. Фортов+
Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
+Институт проблем химической физики РАН, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
PACS: 71.30.+h, 81.40.Vw
Abstract
Измерена электропроводность кристаллов фуллерена С60 в
условиях квази-энтропического нагружения размытой ударной волной до давления
30 ГПа при комнатной температуре. Обнаружено немонотонное поведение
электропроводности образцов при увеличении давления: сначала
электропроводность растет на много порядков, а затем быстро падает.
Увеличение электропроводности объясняется уменьшением ширины запрещенной зоны
под давлением, тогда как уменьшение электропроводности можно объяснить в
предположении, что энергетический барьер для полимеризации С60
понижается с ростом давления примерно в той же мере, что и ширина запрещенной
зоны. В результате, при высоких давлениях резко (более чем на 7 порядков)
увеличивается скорость полимеризации С60.