Туннелирование рентгеновских фотонов через тонкую пленку в условиях полного внутреннего отражения
А. Г. Турьянский, И. В. Пиршин
Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
PACS: 07.60.Hv, 07.85.Fv, 41.50.+h
Abstract
Экспериментально продемонстрировано туннелирование
рентгеновских фотонов с длиной волны 0.154 и 0.139 нм через тонкую пленку в
условиях полного внутреннего отражения (ПВО). Пленка NiSi2 толщиной 13 нм
наносилась магнетронным распылением на полированную подложку Si. Пучок с
угловой расходимостью 20" направлялся на границу раздела Si/NiSi2
изнутри через боковую поверхность образца. Пик, обусловленный
туннелированием фотонов из Si в воздух через пленку NiSi2, наблюдался при
углах скольжения θ 1>0.4θ c, где θ c -
критический угол ПВО на границе раздела Si/NiSi2. Интегральная
интенсивность пиков туннелирования, измеренная при различных θ 1,
согласуется с расчетными данными.