Home
| VOLUME 81 (2005) | ISSUE 10 | PAGE 614 |
|---|
|
Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия
М. В. Степихова, Д. М. Жигунов+, В. Г. Шенгуров*, В. Ю. Тимошенко+, Л. В. Красильникова, В. Ю. Чалков*, С. П. Светлов*, О. А. Шалыгина+, П. К. Кашкаров+, З. Ф. Красильник
Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, ГСП-105, Россия +Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, физический факультет, 119992 Москва, Россия *Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета 603950, Нижний Новгород, Россия PACS: 42.70.Hj, 78.47.+p, 78.55.-m
Abstract
В структурах Si/Si1-xGex:Er/Si достигнута инверсная населенность уровней энергии ионов Er3+ при передаче энергии электронного возбуждения от полупроводниковой матрицы. Анализ кинетик фотолюминесценции на длине волны 1.54 мкм свидетельствует о переводе в возбужденное состояние до 80% ионов, что в совокупности с высокой интенсивностью свечения демонстрирует перспективность структур такого типа для создания лазера, совместимого с планарной кремниевой технологией. |