Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 81-92
      Volume 92
      Volume 91
      Volume 90
      Volume 89
      Volume 88
      Volume 87
      Volume 86
      Volume 85
      Volume 84
      Volume 83
      Volume 82
      Volume 81
Search
VOLUME 81 (2005) | ISSUE 10 | PAGE 636
Гигантское инжекционное магнитосопротивление в гетероструктурах арсенид галлия / гранулированная пленка с наноразмерными включениями кобальта
PACS: 73.20.-r, 73.40.-c, 75.70.Pa
Abstract
Исследован электронный транспорт в гетероструктурах арсенид галлия/гранулированная пленка SiO2 с наночастицами Co и арсенид галлия/пленка TiO2 с подслоями островков Co. При инжекции электронов из пленки в полупроводник наблюдалось новое явление, названное инжекционным магнитосопротивлением. Для структуры SiO2(Co)/GaAs с концентрацией Co 60 ат.% в магнитном поле 23 кЭ при напряжении 50 В значения инжекционного магнитосопротивления достигают 5200 % при комнатной температуре.